深能級瞬態(tài)譜儀2-半導(dǎo)體表征
儀器簡介：
美國高分辨深能級瞬態(tài)譜儀是半導(dǎo)體領(lǐng)域研究和檢測半導(dǎo)體雜質(zhì)、缺陷深能級、界面態(tài)等的重要技術(shù)手段！測試功能：電容模式、定電容模式、電流模式、（雙關(guān)聯(lián)模式）、光激發(fā)模式、FET分析、MOS分析、等溫瞬態(tài)譜、Trapprofiling、俘獲截面測量、I/V,I/V(T)、C/V,C/V(T)、TSC/TSCAP、光子誘導(dǎo)瞬態(tài)譜、DLOS。
測試根據(jù)半導(dǎo)體P-N結(jié)、金-半接觸結(jié)構(gòu)肖特基結(jié)的瞬態(tài)電容（△C~t）技術(shù)和深能級瞬態(tài)譜的發(fā)射率窗技術(shù)測量出的深能級瞬態(tài)譜，是一種具有很高檢測靈敏度的實驗方法，能檢測半導(dǎo)體中微量雜質(zhì)、缺陷的深能級及界面態(tài)。
通過對樣品的溫度掃描，給出表征半導(dǎo)體禁帶范圍內(nèi)的雜質(zhì)、缺陷深能級及界面態(tài)隨溫度（即能量）分布的DLTS譜，集成多種全自動的測量模式及全面的數(shù)據(jù)分析，可以確定雜質(zhì)的類型、含量以及隨深度的分布。
也可用于光伏太陽能電池領(lǐng)域中，分析少子壽命和轉(zhuǎn)化效率衰減的關(guān)鍵性雜質(zhì)元素和雜質(zhì)元素的晶格占位，確定是何種摻雜元素和何種元素占位影響少子壽命。
感謝中國科學(xué)院寧波材料研究所,國家硅材料深加工產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心南昌大學(xué)西安電子科技大學(xué)成為此設(shè)備的專業(yè)用戶！！
此設(shè)備在全球用戶眾多，比歐洲設(shè)備性能價格比高，是研究材料深能級領(lǐng)域的理想工具�。�
深能級瞬態(tài)譜儀2-半導(dǎo)體表征
系統(tǒng)配置:
DLTS數(shù)據(jù)采集及分析軟件(DLTS,ODLTS,DDLTS)
Boonton7200型快速電容測試器
自動電容零點界面
數(shù)據(jù)采集卡及中斷箱
ODLTS穿導(dǎo)件
機柜安裝硬件及電纜
設(shè)備機柜
GPIB接口卡
電腦是雙核,2GB內(nèi)存,19”顯示器.USB接口,CD書寫用于數(shù)據(jù)傳輸.
可調(diào)節(jié)探針(2)
閉環(huán)液氦制冷機(25-700K)
溫度控制器
深能級瞬態(tài)譜儀
http://www.airtest.net.cn/Products-30738961.html
https://www.chem17.com/st17159/product_30738961.html